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一种薄膜体声波谐振器结构及其制造方法、滤波器以及双工器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911265618.X
  • IPC分类号:H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10
  • 申请日期:
    2019-12-11
  • 申请人:
    北京汉天下微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种薄膜体声波谐振器结构及其制造方法、滤波器以及双工器
申请号CN201911265618.X申请日期2019-12-11
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2020-05-08公开/公告号CN111130486A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03H3/02IPC分类号H;0;3;H;3;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;0;5;;;H;0;3;H;9;/;1;0查看分类表>
申请人北京汉天下微电子有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区15幢301和302室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州汉天下电子有限公司当前权利人苏州汉天下电子有限公司
发明人唐兆云;赖志国;杨清华;王家友;唐滨
代理机构北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明提供了一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法,包括确定待形成的薄膜体声波谐振器之间的连接方式;刻蚀基底形成凹槽并在凹槽内填充牺牲层;形成覆盖基底的叠层结构并对叠层结构进行刻蚀,在每一凹槽上方形成叠层单元以及在待形成的以第一连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的叠层单元之间形成第一连接部;对刻蚀叠层结构所形成的区域进行填充以形成填充结构;在叠层单元上形成第一上电极以及在待形成的以第二连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的第一上电极之间形成第二连接部;刻蚀第一连接部;去除填充结构以及牺牲层。本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器结构、滤波器和双工器。本发明有效降低了器件的声波损失。

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