抗温变复合高介电子材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010147770.0
IPC分类号：H01B3/12
申请日期：
2010-04-14
申请人：
河北理工大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	抗温变复合高介电子材料及其制备方法
申请号	CN201010147770.0	申请日期	2010-04-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-06	公开/公告号	CN101851091A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B3/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B3/00 按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择 H01B3/02 主要由无机物组成的 H01B3/12 陶瓷	IPC分类号	H;0;1;B;3;/;1;2查看分类表>
申请人	河北理工大学	申请人地址	河北省唐山市新华西道46号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河北理工大学	当前权利人	河北理工大学
发明人	苏皓;方芳
代理机构	唐山永和专利商标事务所	代理人	王永红

摘要

一种抗温变复合高介电子材料及其制备方法，其组分及其原料重量百分比为：BaTiO342～45％，(Na0.5，Bi0.5)TiO319～26％，Pb(Sn0.6，Ti0.4)O328～38％，MgO0.6～1％，Sm2O30.2～2％；其中Pb(Sn0.6，Ti0.4)O3使用PbO、SnO2与TiO2制备，三者的摩尔比为5∶3∶2；(Na0.5，Bi0.5)TiO3使用NaCO3、Bi2O3与TiO2制备，三者的摩尔比为2∶1∶4。制备方法包括：预制Pb(Sn0.6，Ti0.4)O3，预制(Na，Bi)TiO3，制坯烧结。本发明制造成本低廉，适用于电容器、滤波器等电子器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供