用于PMOS管的反向电流抑制电路

发明专利有效专利

申请号：
CN202110934157.1
IPC分类号：H02H7/20;H02H11/00;H02H3/20
申请日期：
2021-08-13
申请人：
无锡市晶源微电子有限公司

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专利名称	用于PMOS管的反向电流抑制电路
申请号	CN202110934157.1	申请日期	2021-08-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-29	公开/公告号	CN113572136A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02H7/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02H 紧急保护电路装置（指示或警报意外工作情况的入G01R，例如G01R 31/00，G08B；沿线测定故障位置入G01R 31/08；紧急保护装置入H01H） H02H7/00 当出现正常工作条件的不希望有的变化时能完成自动切换的，专用于特种电机或电设备的或专用于电缆或线路系统分段保护的紧急保护电路装置（保护装置与特种机械或设备的结构组合以及它们的无自动断开的保护见该机械或设备的有关小类） H02H7/20 用于电子设备的（用于变换器入H02H 7/10；用于电测量仪器的入G01R 1/36；用于直流电压或电流的半导体调节器入G05F 1/569；用于放大器的入H03F 1/52；用于电子开关电路的入H03K 17/08）	IPC分类号	H;0;2;H;7;/;2;0;;;H;0;2;H;1;1;/;0;0;;;H;0;2;H;3;/;2;0查看分类表>
申请人	无锡市晶源微电子有限公司	申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术产业开发区106-C地块A幢209室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡市晶源微电子有限公司	当前权利人	无锡市晶源微电子有限公司
发明人	沈华
代理机构	北京天盾知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种用于PMOS管的反向电流抑制电路，包括栅极驱动单元，第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述栅极驱动单元使所述第一PMOS管栅极电位等于漏极电位，所述第一PMOS管处于反向电流抑制状态；包括衬底切换单元，所述第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述衬底驱动单元将所述第一PMOS管衬底与漏极短接。本发明当PMOS管源极电位小于漏极电位时，可控制PMOS管工作反向电流抑制状态，有效保护PMOS管。

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