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形成具有改进黏附性的低电阻率贵金属互连的装置及方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710398579.5
  • IPC分类号:H01L23/532;H01L21/768
  • 申请日期:
    2017-05-31
  • 申请人:
    格罗方德半导体公司
著录项信息
专利名称形成具有改进黏附性的低电阻率贵金属互连的装置及方法
申请号CN201710398579.5申请日期2017-05-31
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2017-12-08公开/公告号CN107452713A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/532IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人格罗方德半导体公司申请人地址
英属开曼群岛大开曼岛 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格罗方德半导体公司当前权利人格罗方德半导体公司
发明人张洵渊;法兰克·W·蒙特;埃罗尔·特德·莱恩
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明涉及形成具有改进黏附性的低电阻率贵金属互连的装置及方法,其提供制造集成电路装置以形成具有改进黏附性的低电阻率互连的装置及方法。一种方法包括例如:获得中间半导体互连装置,该中间半导体互连装置具有衬底、覆盖层,以及包括一组沟槽及一组过孔的介电矩阵;将金属互连材料直接沉积在该介电矩阵的顶部表面上方并与其接触,其中,该金属互连材料填充该组沟槽及该组过孔;在该装置的顶部表面上方沉积阻挡层;退火该阻挡层,以使该阻挡层扩散至该金属互连材料的底部表面;平坦化该中间半导体互连装置的顶部表面;以及在该中间半导体互连装置上方沉积介电覆盖层。

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