沟渠式电容器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610074028.5
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82
申请日期：
2006-04-04
申请人：
联华电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	沟渠式电容器及其制造方法
申请号	CN200610074028.5	申请日期	2006-04-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-10	公开/公告号	CN101051605
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	李瑞池
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

一种沟渠式电容器的制造方法，是先利用位于衬底上的图案化的掩模层进行图案化工艺，以于衬底中形成多个沟渠。然后，于各沟渠表面的衬底中形成下电极。接着，移除部分图案化的掩模层，以暴露出各沟渠顶部两侧的部分衬底。然后，于衬底上与各沟渠表面形成电容介电层。随后，于衬底上方形成导电层，导电层至少填满各沟渠，且覆盖电容介电层。接着，移除图案化的掩模层与部分导体层，且保留覆盖电容介电层的部分导体层，以形成上电极。

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