高压半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110162766.X
IPC分类号：H01L29/06;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/07;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/872
申请日期：
2016-02-11
申请人：
莫诺利斯半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	高压半导体器件及其制造方法
申请号	CN202110162766.X	申请日期	2016-02-11
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-06-22	公开/公告号	CN113013227A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;7;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;1;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人	莫诺利斯半导体有限公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	莫诺利斯半导体有限公司	当前权利人	莫诺利斯半导体有限公司
发明人	K·马托查;K·查蒂;S·班纳吉
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	黄晓升

摘要

提供了多单元MOSFET器件，其包括具有集成的肖特基二极管的MOSFET单元。MOSFET包括在p‑型阱区域中形成的n‑型源极区域，p‑型阱区域在n‑型漂移层中形成。在MOSFET的外围形成p‑型体接触区域。器件的源极金属化形成与n‑型半导体区域接触的肖特基接触，n‑型半导体区域与器件的p‑型体接触区域相邻。可以形成通过覆盖器件的源极欧姆接触和/或肖特基区域的电介质材料的通孔，并且在通孔中可以形成源极金属化。形成肖特基接触和/或n‑型源极区域的n‑型半导体区域可以是单个连续的区域或与不连续的p‑型体接触区域交替的多个不连续的区域。器件可以是SiC器件。还提供了制造该器件的方法。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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