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再循环从半导体处理工艺、特别是从化学机械抛光工艺中产生的含浆料的废水的再循环方法和装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080045398.0
  • IPC分类号:C02F1/44;B24B37/04;B24B57/02;H01L21/321
  • 申请日期:
    2010-10-06
  • 申请人:
    高Q-工厂GmbH
著录项信息
专利名称再循环从半导体处理工艺、特别是从化学机械抛光工艺中产生的含浆料的废水的再循环方法和装置
申请号CN201080045398.0申请日期2010-10-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-08-22公开/公告号CN102648160A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C02F1/44IPC分类号C;0;2;F;1;/;4;4;;;B;2;4;B;3;7;/;0;4;;;B;2;4;B;5;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;1查看分类表>
申请人高Q-工厂GmbH申请人地址
德国克利普豪森 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人高Q-工厂GmbH当前权利人高Q-工厂GmbH
发明人弗朗兹·布鲁默
代理机构北京天平专利商标代理有限公司代理人孙刚
摘要
本发明涉及一种用于从半导体处理工艺、特别是从化学机械抛光工艺中产生的含浆料的废水的再循环方法和再循环装置。所述方法由以下步骤组成:过滤步骤,其中不断将含新鲜浆料的废水引入循环容器(10)中,在此期间不断从该循环容器(10)中抽出混合废水,引导该已抽出的废水穿过超滤装置(20)并通过去除该流体而进行浓缩从而形成浓缩废水,并且将该浓缩废水引入该循环容器(10)中并使其与该循环容器(10)的内含物混合以获得该混合废水;以及在该过滤步骤之后的浓缩步骤,其中在不断从该循环容器(10)中抽出混合废水时阻止或实质上停止向该循环容器(10)添加新鲜废水,将所述抽出的混合废水引导穿过该超滤装置(20)并且通过去除该流体而对其进行浓缩,从而形成浓缩废水,并且将该浓缩废水引入该循环容器(10)中。

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