用于过电压事件保护的设备及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201480014787.5
IPC分类号：G11C5/14
申请日期：
2014-02-27
申请人：
美光科技公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于过电压事件保护的设备及方法
申请号	CN201480014787.5	申请日期	2014-02-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-11	公开/公告号	CN105051821A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C5/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C5/00 包括在G11C 11/00组中的存储器零部件 G11C5/14 电源装置（用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193；一般入G05F，H02J，H02M）〔5，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;5;/;1;4查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	詹姆斯·戴维斯;迈克尔·谢纳
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	路勇

摘要

本发明揭示例如那些用于保护电路免受静电放电事件影响的电路、集成电路、设备及方法。一种实例设备包括晶闸管，其耦合到节点且经配置以限制电压且使与在所述节点处的过电压事件相关联的电流放电。所述过电压事件包含具有超过所述晶闸管的触发电压的量值的负电压。所述实例设备进一步包括晶体管，其耦合到所述晶闸管且经配置以调整所述触发电压的所述量值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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