电源控制电路、电源装置以及电源控制装置的控制方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200880131176.3
IPC分类号：H02M3/155
申请日期：
2008-09-22
申请人：
富士通株式会社

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著录项信息

专利名称	电源控制电路、电源装置以及电源控制装置的控制方法
申请号	CN200880131176.3	申请日期	2008-09-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-17	公开/公告号	CN102160271A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M3/155 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M3/00 直流功率输入变换为直流功率输出 H02M3/02 没有中间变换为交流的 H02M3/04 用静态变换器的 H02M3/10 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的（H02M 3/07优先）〔4〕 H02M3/145 应用需要连续使用控制信号的三极管或晶体管式的器件的〔2〕 H02M3/155 仅用半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;2;M;3;/;1;5;5查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士通株式会社	当前权利人	富士通株式会社
发明人	板仓和彦
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	李辉;黄纶伟

摘要

本发明提供电源控制电路、电源装置、电源系统以及电源控制装置的控制方法。电源控制电路在“LoSideFET”的短路故障时，检测“HiSideFET”和“LoSideFET”的中间电压即基准电压VD，使用比较器COMP对阈值“VIN-VrefH”和VD进行比较。然后，如果基准电压VD小于阈值“VIN-VrefH”且开关控制信号(HiDr)接通，则电源控制电路判定为短路故障。同样，电源控制电路在“HiSideFET”的短路故障时，检测“HiSideFET”和“LoSideFET”的基准电压VD，使用比较器COMP对阈值“VrefL”和VD进行比较。然后，如果基准电压VD大于阈值“VrefL”且开关控制信号(LoDr)接通，则电源控制电路判定为短路故障。

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