镀膜设备及其镀膜控制方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110071547.0
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/54;C23C14/46
申请日期：
2021-01-19
申请人：
佛山市博顿光电科技有限公司;中山市博顿光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	镀膜设备及其镀膜控制方法
申请号	CN202110071547.0	申请日期	2021-01-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-04	公开/公告号	CN112899630A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;C;2;3;C;1;4;/;4;6查看分类表>
申请人	佛山市博顿光电科技有限公司;中山市博顿光电科技有限公司	申请人地址	广东省佛山市南海区狮山镇信息大道南33号力合科技产业中心加速器项目69栋第三层301单元(住所申报) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佛山市博顿光电科技有限公司,中山市博顿光电科技有限公司	当前权利人	佛山市博顿光电科技有限公司,中山市博顿光电科技有限公司
发明人	刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波
代理机构	广州市律帆知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王园园

摘要

本申请涉及一种镀膜设备及其镀膜控制方法，所述镀膜设备，包括：至少一个霍尔离子源以及磁控溅射阴极；其中，磁控溅射阴极与霍尔离子源相邻布置且发射口位置平行；在工作时，磁控溅射阴极的靶材产生材料粒子和电子，电子运动至霍尔离子源，霍尔离子源的阳极利用电子激活工作气体，产生离子源离子；利用磁控溅射阴极产生的材料粒子与霍尔离子源产生的离子源离子对基片进行镀膜；该技术方案，既充分利用了多余的电子，简化了霍尔离子源的结构，同时通过引入霍尔离子源的离子磁控溅射阴极的镀膜提供了更好的协助，特别是应用在加工氧化物的时候，产生比等离子能量更大的离子，加强了氧化效果，提升了镀膜效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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