一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202110503284.6
IPC分类号：G01N3/20;G01N3/06;G01N25/72
申请日期：
2021-05-10
申请人：
武汉精测电子集团股份有限公司;武汉精立电子技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备
申请号	CN202110503284.6	申请日期	2021-05-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113295546A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N3/20 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N3/00 用机械应力测试固体材料的强度特性 G01N3/20 施加稳定的弯曲力（G01N 3/26，G01N 3/28优先）	IPC分类号	G;0;1;N;3;/;2;0;;;G;0;1;N;3;/;0;6;;;G;0;1;N;2;5;/;7;2查看分类表>
申请人	武汉精测电子集团股份有限公司;武汉精立电子技术有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园南路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉精测电子集团股份有限公司,武汉精立电子技术有限公司	当前权利人	武汉精测电子集团股份有限公司,武汉精立电子技术有限公司
发明人	陈宗普;吴焕雄
代理机构	武汉东喻专利代理事务所（普通合伙）	代理人	李佑宏

摘要

本发明公开了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。该方法包括当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，采集FPC微电路的局部红外图像；基于局部红外图像，计算FPC微电路在各弯曲半径下的测量位置的温度参数；比对相同弯曲半径处的各温度参数，将温度变化异常的温度参数对应的测量位置确定为受损位置。本发明实现了在模拟FPC微电路实际使用中弯曲的情形下，通过对弯曲的FPC微电路通以工作电流，来捕获不同弯曲半径位置的发热差异图像，进而实现对微电路的受损程度和受损位置的准确检定。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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