TEM样品的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310082083.9
IPC分类号：G01N1/28
申请日期：
2013-03-14
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	TEM样品的制备方法
申请号	CN201310082083.9	申请日期	2013-03-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-10	公开/公告号	CN103196718A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N1/28 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N1/00 取样；制备测试用的样品（用于自动分析的材料处理入G01N 35/00） G01N1/28 测试用样品的制备（将样品安装在显微镜载片上入G02B 21/34；电子显微镜中支承被分析的物品或材料的装置入H01J 37/20）	IPC分类号	G;0;1;N;1;/;2;8查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	王炯翀
代理机构	上海申新律师事务所	代理人	竺路玲

摘要

本发明涉及半导体制作领域，确切的说，涉及一种TEM样品的制备方法，包括以下步骤：S1、于所述衬底的上表面沉积第一涂层；S2、切割所述第一涂层至所述衬底的下表面；S3、制备第二涂层覆盖所述第一横截面的表面；S4、切割所述第一样品结构上剩余的第一涂层至剩余的衬底的下表面；S5、切割所述第二涂层至剩余衬底的下表面形成具有第二截面的TEM样品结构；S6、继续对所述TEM样品的目标横截面进行分析。本发明通过改进保护层的沉积方法和增加沉积保护层的次数，使TEM样品厚度达到最佳的分析厚度（40-60nm），在分析中能清楚分辨出扩散阻挡层和铜的分界面，提高了TEM样品的分析质量。

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