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一种降低Ⅲ族氮化物发光二极管光衰的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910273378.8
  • IPC分类号:H01L33/06
  • 申请日期:
    2009-12-25
  • 申请人:
    武汉华灿光电有限公司
著录项信息
专利名称一种降低Ⅲ族氮化物发光二极管光衰的方法
申请号CN200910273378.8申请日期2009-12-25
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2010-06-16公开/公告号CN101740693A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/06IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;6查看分类表>
申请人武汉华灿光电有限公司申请人地址
湖北省武汉市光谷滨湖路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉华灿光电有限公司当前权利人武汉华灿光电有限公司
发明人董彬忠;魏世祯;刘榕
代理机构江西省专利事务所代理人胡里程
摘要
本发明公开一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法,该III族氮化物发光二极管外延结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层、P型接触层,在III族氮化物发光二极管外延结构中增加一层P型氮化铟镓层。P型氮化镓层后的含有铟镓氮外延层的结构中铟组份含量比多量子阱层中的铟组份要低,这样,这层含有铟镓氮外延层的结构不会吸收多量子阱层中发出的光。而另一方面,在多量子阱中未复合的电子越过电子阻挡层后将在其后的铟镓氮层中复合掉,由于铟镓氮材料的禁带宽度比氮化镓要低,在铟镓氮层中复合将发出波长较长的可见光,从而减小甚至消除了LED芯片中紫外光辐射的产生。

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