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HKMG结构制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110599383.9
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-05-31
  • 申请人:
    上海华力集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称HKMG结构制作方法
申请号CN202110599383.9申请日期2021-05-31
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-14公开/公告号CN113394110A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海华力集成电路制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力集成电路制造有限公司当前权利人上海华力集成电路制造有限公司
发明人席付春;潘宗延;陈明志
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人焦天雷
摘要
本发明公开了一种HKMG结构制作方法,包括以下步骤:优化在衬底上的N型金属栅区域和P型金属栅区域形成顺序,依次形成栅氧化层、高K介质层、可选过渡层、P型功函数刻蚀停止层、P型功函数层和伪多晶硅栅刻蚀停止层;N型金属栅区域和P型金属栅区域执行伪多晶硅栅工艺;去除伪多晶硅栅;打开N型金属栅区域的伪多晶硅栅刻蚀停止层;去除N型金属栅区域的P型功函数层;形成N型功函数层;形成金属栅。本发明能在不增加工艺步骤的前提下,能有效控制HKMG工艺中常见的铝扩散问题,并减少P型金属栅填充时film层数,从而可以有效增大AL填充窗口,优化金属栅Al填充缺陷,提高HKMG结构器件性能。

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