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减小晶体对光强度曝光的损伤效应的敏感性的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200380106885.3
IPC分类号：G01F1/00;C30B29/30
申请日期：
2003-12-19
申请人：
德国电信股份有限公司

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	减小晶体对光强度曝光的损伤效应的敏感性的方法
申请号	CN200380106885.3	申请日期	2003-12-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-02-01	公开/公告号	CN1729383
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01F1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01F 容积、流量、质量流量或液位的测量；按容积进行测量〔2，5〕 G01F1/00 测量连续通过仪表的流体或流动固体材料的流量或质量流量（测量流量比例入G01F 5/00）〔2〕	IPC分类号	G;0;1;F;1;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;0查看分类表>
申请人	德国电信股份有限公司	申请人地址	德国波恩变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	德国电信股份有限公司	当前权利人	德国电信股份有限公司
发明人	K·布斯;J·胡科里德;M·穆勒
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	沈昭坤

摘要

本发明涉及一种用于减小具有非线性光学性能的晶体的敏感性方法，尤其是铌酸锂或钽酸锂防止曝光行为的损伤(光学损伤)。而光感应引起的折射率变化也会产生类似的损伤。通过使用外部的离子掺杂可提高晶体的暗导电率。

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