一种低阻高透过率的ITO导电膜结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821717136.4
IPC分类号：H01B5/14;H01B1/08;H01B1/02
申请日期：
2018-10-23
申请人：
惠州市天誉科技有限公司

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专利名称	一种低阻高透过率的ITO导电膜结构
申请号	CN201821717136.4	申请日期	2018-10-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B5/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B5/00 按形状区分的非绝缘导体或导电物体 H01B5/14 在绝缘支承物上有导电层或导电薄膜的	IPC分类号	H;0;1;B;5;/;1;4;;;H;0;1;B;1;/;0;8;;;H;0;1;B;1;/;0;2查看分类表>
申请人	惠州市天誉科技有限公司	申请人地址	广东省惠州市惠阳区镇隆镇甘陂村永华工业园H栋厂房一楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	惠州市天誉科技有限公司	当前权利人	惠州市天誉科技有限公司
发明人	华建军;卢相学
代理机构	惠州创联专利代理事务所（普通合伙）	代理人	赵瑾

摘要

本实用新型涉及一种低阻高透过率的ITO导电膜结构，包括表层ITO层，设置在所述表层ITO层下方的Ag膜层、设置在所述Ag膜层下方的SiO2膜层、以及设置在所述SiO2膜层下方的透明塑料基材层。通过设置Ag膜层和SiO2膜层，可提高导电膜的柔韧性和导电性能。表层ITO层不仅可以防止Ag层氧化、提高薄膜耐磨性，还可以作为减反层来提高薄膜可见光透过率。本实用新型的方阻低、透过率高，还能起到隔热、低辐射，以及很好的电磁屏蔽效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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