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磁传感器装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911273832.X
  • IPC分类号:G01R33/09
  • 申请日期:
    2019-12-12
  • 申请人:
    TDK株式会社;旭化成微电子株式会社
著录项信息
专利名称磁传感器装置
申请号CN201911273832.X申请日期2019-12-12
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-06-19公开/公告号CN111308403A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R33/09IPC分类号G;0;1;R;3;3;/;0;9查看分类表>
申请人TDK株式会社;旭化成微电子株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TDK株式会社,旭化成微电子株式会社当前权利人TDK株式会社,旭化成微电子株式会社
发明人渡部司也;平林启;奥津吉隆;吉田将规
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人杨琦;陈明霞
摘要
本发明的磁传感器装置具备复合芯片部件和安装于复合芯片部件上的传感器芯片。传感器芯片包含:第1磁传感器,检测外部磁场的平行于X方向的方向的分量;第2磁传感器,检测外部磁场的平行于Y方向的方向的分量;以及第3磁传感器,检测外部磁场的平行于Z方向的方向的分量。复合芯片部件包含:第1磁场发生器,产生平行于X方向的方向的附加磁场分量;第2磁场发生器,产生平行于Y方向的方向的附加磁场分量;以及第3磁场发生器,产生平行于Z方向的方向的附加磁场分量。

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