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一种室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410048793.4
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/074
  • 申请日期:
    2014-02-12
  • 申请人:
    许昌学院;郑直
著录项信息
专利名称一种室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法
申请号CN201410048793.4申请日期2014-02-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-05-07公开/公告号CN103779447A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;4查看分类表>
申请人许昌学院;郑直申请人地址
河南省许昌市八一路88号许昌学院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人许昌学院,郑直当前权利人许昌学院,郑直
发明人郑直;张蕾;雷岩;程佳美;魏杰;王丞相;贺迎迎
代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司代理人乔宇
摘要
本发明涉及一种气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法,其包括如下步骤:(1)将n型单晶硅片进行表面腐蚀处理,得到表面为金字塔状阵列结构的n型单晶硅片;(2)在n型单晶硅片表面制备单质铜层,得到覆铜n型单晶硅片;(3)制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜:20-30℃下将步骤(2)得到的覆铜n型单晶硅片放入布满饱和碘蒸气的密闭反应器中反应15-50分钟。该方法在室温条件下制备,覆铜表面完全转化形成碘化亚铜,反应温度低,对单晶硅基底无影响,且反应过程可控,操作方便,制备时间短。

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