LED支架及其制作方法、LED发光器件、发光装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201811005493.2
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56;B29C45/14;B29C45/27
申请日期：
2018-08-30
申请人：
深圳市聚飞光电股份有限公司

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著录项信息

专利名称	LED支架及其制作方法、LED发光器件、发光装置
申请号	CN201811005493.2	申请日期	2018-08-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-03-10	公开/公告号	CN110875411A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;4;;;H;0;1;L;3;3;/;5;6;;;B;2;9;C;4;5;/;1;4;;;B;2;9;C;4;5;/;2;7查看分类表>
申请人	深圳市聚飞光电股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区平湖街道鹅公岭社区鹅岭工业区4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市聚飞光电股份有限公司	当前权利人	深圳市聚飞光电股份有限公司
发明人	邢美正;孙平如;高四清;谭镇良;姚亚澜
代理机构	深圳鼎合诚知识产权代理有限公司	代理人	江婷

摘要

本发明提供了一种LED支架及其制作方法、LED发光器件、发光装置，该LED支架包括利用不饱和聚酯树脂注塑成型的基座主体，基座主体具有用于封装LED芯片的凹槽，基座主体具有上表面、下表面和多个外侧面，多个外侧面中的第一外侧面和第二外侧面上分别形成有树脂注入浇口痕和树脂放出浇口痕。本发明的LED支架通过模具不同侧面上所设的树脂注入口和树脂放出口所组成的注塑通路来进行注塑成型，使得内部产生的气体从树脂放出口放出至外部，从而成型后的LED支架内部无空隙，LED支架的强度较高。进一步的，本发明中的LED支架通过不饱和聚酯树脂成型，劣化耐性较高，对成型温度和压力的要求较低，可有效保证产品质量和生产效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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