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半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201080032980.3
IPC分类号：H01L33/40;H01L33/38
申请日期：
2010-06-24
申请人：
飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法
申请号	CN201080032980.3	申请日期	2010-06-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-23	公开/公告号	CN102473807A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/40 相应的材料〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;0;;;H;0;1;L;3;3;/;3;8查看分类表>
申请人	飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司,皇家飞利浦电子股份有限公司	当前权利人	飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司,皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人	J.E.埃普勒
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	初媛媛;刘鹏

摘要

半导体结构包括设置在n型区（20）与p型区（24）之间的发光层（22）。在p型区的一部分上设置有p电极。p电极包括与p型区的第一部分直接接触的反射性第一材料（26）和与邻近于第一部分的p型区的第二部分直接接触的第二材料（30）。第一材料（26）和第二材料（30）在具有相同的厚度的平面层中形成。

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