首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

半导体结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911347790.X
IPC分类号：H01L23/552;H01L21/56
申请日期：
2019-12-24
申请人：
南亚科技股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构及其制备方法
申请号	CN201911347790.X	申请日期	2019-12-24
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-07-07	公开/公告号	CN111384033A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/552 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/552 防辐射保护装置，例如光〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	南亚科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南亚科技股份有限公司	当前权利人	南亚科技股份有限公司
发明人	谢章群;杨吴德;陈璟锋
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	黄艳

摘要

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底，该基底具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；一封膜，配置在该基底的该第一表面上并覆盖该晶粒；以及一金属层，围绕该封膜与该基底设置；其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底而暴露的至少一部分。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供