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一种通过反应性气体除H2O的原料提纯方法及装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010197973.4
  • IPC分类号:C30B35/00;C30B29/12;C30B29/02;C22B9/05;C22B17/02;C22B17/06;C01D3/12;C01D3/14
  • 申请日期:
    2020-03-19
  • 申请人:
    西北工业大学
著录项信息
专利名称一种通过反应性气体除H2O的原料提纯方法及装置
申请号CN202010197973.4申请日期2020-03-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-06-19公开/公告号CN111304751A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B35/00IPC分类号C;3;0;B;3;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;1;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;2;;;C;2;2;B;9;/;0;5;;;C;2;2;B;1;7;/;0;2;;;C;2;2;B;1;7;/;0;6;;;C;0;1;D;3;/;1;2;;;C;0;1;D;3;/;1;4查看分类表>
申请人西北工业大学申请人地址
陕西省西安市友谊西路127号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西北工业大学当前权利人西北工业大学
发明人殷子昂;张香港;杨帆;孙茂钧;王涛
代理机构西北工业大学专利中心代理人华金
摘要
本发明公开了一种通用的原料除水提纯方法及装置,用以解决现有晶体行业高纯原料中普遍存在的水污染问题。该方法以高纯4N~6N金属或卤素化合物为待提纯原材料,置于本发明提供的以毛细管连接的坩埚结构上部分,再将上述坩埚结构转接固定至气路和炉体中,通入保护性气氛,加热炉体使待处理原料融化,接入卤素族或硅烷族化合物反应性气体至熔体处,使熔体中的H2O与反应性气体充分反应,生成惰性物质及尾气并随保护性气氛排出,待反应结束后,调节气体流速将熔体挤落至下坩埚中并封管。由于待处理原料中的H2O与反应性气体在高温熔体状态下充分反应,所述原料中的H2O含量下降1‑2个数量级,可有效减少坩埚和晶体的润湿效应,显著提高相应晶体的光电性能。

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