利用牺牲材料的半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN02807474.2
IPC分类号：H01L23/532;H01L21/768
申请日期：
2002-03-26
申请人：
兰姆研究有限公司

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专利名称	利用牺牲材料的半导体装置
申请号	CN02807474.2	申请日期	2002-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-09-22	公开/公告号	CN1531755
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/532 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/532 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	兰姆研究有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	兰姆研究有限公司	当前权利人	兰姆研究有限公司
发明人	耶海尔·哥特基斯;戴维·魏;罗德尼·基斯特勒
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	章社杲

摘要

本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括一具有复数个晶体管装置的基板以及复数条铜交互连接金属化线与复数个导电通孔。该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔是界定于该半导体装置的复数个交互连接阶层中的每一阶层中，使得该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔藉由一空气介电质而相互隔绝。该半导体装置更包括复数个支持短截部，其中每一个是建构为形成一延伸经过该半导体装置的该复数个交互连接阶层的支持柱，该复数个支持短截部并未电性交互连接至该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔，以便支持柱保持结构与钝化层接触以避免与复数个铜交叉互连接金属线和导电通孔接触，复数个支持柱还被建构以便在半导体装置的多个交互连接阶层之间不提供电连接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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