一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110202343.2
IPC分类号：H01J29/04;H01J9/02
申请日期：
2011-07-19
申请人：
东华理工大学

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专利名称	一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法
申请号	CN201110202343.2	申请日期	2011-07-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-04	公开/公告号	CN102306600A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J29/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J29/00 H01J 31/00组中包含的各种阴极射线管或电子束管的零部件 H01J29/02 电极；屏；其安装、支承、配置或绝缘 H01J29/04 阴极	IPC分类号	H;0;1;J;2;9;/;0;4;;;H;0;1;J;9;/;0;2查看分类表>
申请人	东华理工大学	申请人地址	江西省抚州市学府路56号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东华理工大学	当前权利人	东华理工大学
发明人	邹继军;常本康;张益军;金解云;邓文娟;彭新村
代理机构	南昌新天下专利商标代理有限公司	代理人	施秀瑾

摘要

本发明公开了一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极由9741玻璃、SiO2钝化层、Si3N4增透膜、变带隙AlxGa1-xAs缓冲层、GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的AlxGa1-xAs缓冲层内，生长从AlxGa1-xAs到GaAs发射层Al组分逐渐降低的变带隙缓冲层，构建从AlxGa1-xAs到GaAs的内建电场，在内建电场的作用下，AlxGa1-xAs层中产生的光电子以扩散加漂移的方式输运到发射层，从而提高短波光子的光电发射量子效率，达到蓝延伸的目的。

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