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压接型半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201980093656.3
  • IPC分类号:H01L21/52;H01L25/10
  • 申请日期:
    2019-03-12
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称压接型半导体装置
申请号CN201980093656.3申请日期2019-03-12
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-10-22公开/公告号CN113544828A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/52IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;2;;;H;0;1;L;2;5;/;1;0查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人奥田聪志;绵引达郎;玉城朋宏
代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司代理人金光华
摘要
本发明的目的在于,不会使半导体芯片的面积增加而抑制中间电极的外周部和半导体芯片的表面电极的电气性的接触。第1中间电极(400)的与第1主电极(202、301)的对置面比第1主电极(202、301)的与第1中间电极(400)的对置面小,并具有外周部的保护区域(405)和被保护区域(405)包围的连接区域(404)。压接型半导体装置具备:在连接区域(404)中部分地形成的多个第1导体膜(407);以及第1绝缘膜(406),形成于连接区域(404)中的未形成第1导体膜(407)的区域和保护区域(405)。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供