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800纳米波段背入射式高密度石英反射光栅

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410052903.0
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2004-07-16
  • 申请人:
    中国科学院上海光学精密机械研究所
著录项信息
专利名称800纳米波段背入射式高密度石英反射光栅
申请号CN200410052903.0申请日期2004-07-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-03-02公开/公告号CN1588133
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人中国科学院上海光学精密机械研究所申请人地址
上海市800-211邮政信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海光学精密机械研究所当前权利人中国科学院上海光学精密机械研究所
发明人周常河;张妍妍
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人张泽纯
摘要
一种用于高衍射效率反射800纳米波段半导体激光或以800纳米为中心波长的飞秒脉冲激光的800纳米波段背入射式高密度石英反射光栅,其特点在于当该光栅的周期为346~396纳米,光栅的深度为260~300纳米,光栅的占空比为1/2,本发明可以使在TE偏振光入射下1级反射衍射效率对800纳米波长实现高于90%的结果;当该光栅的周期为331~381纳米,光栅的深度为360~440纳米,光栅的占空比为1/2,本发明可以使在TM偏振光入射下1级反射衍射效率对800纳米波长实现高于90%的结果。本发明800纳米波段背入射式高密度石英反射光栅由光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子光刻工艺加工而成,可以低成本、大批量生产。

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