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具有静态随机存取存储器的三维存储器件

发明专利无效专利

申请号：
CN201980000891.1
IPC分类号：H01L25/065;H01L21/98;H01L27/11;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
申请日期：
2019-05-17
申请人：
长江存储科技有限责任公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有静态随机存取存储器的三维存储器件
申请号	CN201980000891.1	申请日期	2019-05-17
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-27	公开/公告号	CN110291631A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/065 包含在H01L 27/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;9;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	李跃平;侯春源
代理机构	北京永新同创知识产权代理有限公司	代理人	林锦辉;刘景峰

摘要

具有三维(3D)存储器件的3D存储器件的实施例包括具有外围电路、SRAM单元的阵列、以及具有多个第一键合触点的第一键合层的第一半导体结构。3D存储器件还包括具有3D NAND存储器串的阵列、以及包括多个第二键合触点的第二键合层的第二半导体结构、以及第一键合层和第二键合层之间的键合界面，其中第一键合触点与第二键合触点在键合界面处接触。

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