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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110495531.2
IPC分类号：H01L23/488;H01L23/29;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495;H01L25/065
申请日期：
2015-08-21
申请人：
意法半导体有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN202110495531.2	申请日期	2015-08-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113257766A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;5;/;0;6;5查看分类表>
申请人	意法半导体有限公司	申请人地址	新加坡城变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	意法半导体有限公司	当前权利人	意法半导体有限公司
发明人	栾竟恩
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	傅远

摘要

本公开的实施例涉及半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：裸片附接焊盘；钉头凸点，位于所述裸片附接焊盘上并且与所述裸片附接焊盘直接接触；第一裸片，位于所述钉头凸点上并且与所述钉头凸点电耦合；以及导电附接材料，位于所述裸片附接焊盘和所述第一裸片之间。

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