一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910581456.4
IPC分类号：H01L21/02;C23C16/30
申请日期：
2019-06-29
申请人：
华南理工大学

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专利名称	一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法
申请号	CN201910581456.4	申请日期	2019-06-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-22	公开/公告号	CN110364419A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	王文樑;李国强;陈德润;谢欣灵;赖书浩
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	何淑珍;冯振宁

摘要

本发明公开了一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法。所述制备方法包括：用乙醇清洗衬底，用干燥氩气吹净，得到清洗后的衬底；将清洗后的衬底放入CVD设备的玻璃管内，将Se粉、In颗粒及Ga颗粒放入CVD设备的玻璃管内，抽真空处理，通入氩气作为保护气；升温使Se、In及Ga在外延生长面恒温生长，得到生长在Si衬底上的InGaSe纳米材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、生长工艺简单、结晶质量好、成本低、可行性高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度在1.02‑1.67eV范围内连续可调并可用于制造光探测器及太阳能电池等应用的InGaSe二维材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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