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单浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置及其方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010255111.9
  • IPC分类号:C22B26/22
  • 申请日期:
    2010-08-17
  • 申请人:
    牛强
著录项信息
专利名称单浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置及其方法
申请号CN201010255111.9申请日期2010-08-17
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-12-15公开/公告号CN101914692A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22B26/22IPC分类号C;2;2;B;2;6;/;2;2查看分类表>
申请人牛强申请人地址
北京市西城区三里河路52号中国科学院院士工作局 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人牛强当前权利人牛强
发明人牛强;储少军
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了单浸渍管硅铁浴真空环流炼镁的装置及其方法,装置包括:感应炉(101)、真空反应室(104)、单浸渍管(102)及侧壁连通导流的氩气喷吹管(110);连通的镁蒸气冷凝器(206)、镁液喷淋器(210)和镁液储存器(202),镁矿粉输送和喷射装置(111)~(115)。所述工艺为含硅量30%~65%的硅铁液,温度为1350~1600℃;硅铁液与喷吹入其中的镁矿粉混合物在真空反应装置和感应炉之间环形流动,真空度350Pa~10000Pa,反应生成镁蒸气,经冷凝和镁液喷淋生成镁液入储存装置,浇注镁锭。本发明具有节能低耗、生产率高等优点。

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