Ⅱ－Ⅵ族或Ⅲ－Ⅴ族系单结晶铁磁性化合物及其铁磁性特性的调整方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02805828.3
IPC分类号：C30B29/48;C30B29/40
申请日期：
2002-02-28
申请人：
科学技术振业事业团

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专利名称	Ⅱ－Ⅵ族或Ⅲ－Ⅴ族系单结晶铁磁性化合物及其铁磁性特性的调整方法
申请号	CN02805828.3	申请日期	2002-02-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-05-05	公开/公告号	CN1494607
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/48 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕 C30B29/48 AⅡBⅥ化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;8;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	科学技术振业事业团	申请人地址	日本埼玉县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	独立行政法人科学技术振兴机构	当前权利人	独立行政法人科学技术振兴机构
发明人	吉田博;佐藤和则
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	朱丹

摘要

一种II-VI族或III-V族系单结晶铁磁性化合物，在从由ZnTe、ZnSe、ZnS、CdTe、CdSe或CdS组成的群体中选出的II-VI族系化合物或从由GaAs、InAs、InP或GaP组成的群体中选出的III-V族系化合物中，是以从由V、Cr组成的群体中选出的至少一种过渡金属元素，而在从由GaN、AlN、InN或BN组成的群体中选出的III-V族系化合物中，是以从由V、Cr或Mn组成的群体中选出的至少一种过渡金属元素，取代II族或III族元素并形成混晶。添加其它的过渡金属元素或n型掺杂剂、p型掺杂剂，调整铁磁性特性或/和铁磁性转移温度。本发明提供采用透过光的II-VI族或III-V族系化合物而得到的铁磁性的单结晶化合物。还提供调整该化合物的铁磁性转移温度等铁磁性特性的方法。

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