分栅闪存的测试结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811630384.X
IPC分类号：H01L27/1156;H01L27/11521;H01L23/544
申请日期：
2018-12-29
申请人：
上海华力微电子有限公司

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专利名称	分栅闪存的测试结构及其制造方法
申请号	CN201811630384.X	申请日期	2018-12-29
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-05-07	公开/公告号	CN109727991A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/1156 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/1156 浮栅是由两个或多个元件共享的电极的〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	胡涛;张磊;田志;王奇伟;陈昊瑜
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	郭四华

摘要

本发明公开了一种分栅闪存的测试结构，闪存单元包括选择栅，浮栅和擦除栅，浮栅具有顶部尖角的侧墙结构。测试结构由同一行的所述选择栅行、浮栅行和擦除栅行延伸到存储区外部形成。在测试结构的区域中，选择栅的第一侧面形成一环形结构，环形结构使位于环形结构内的浮栅呈一整体的块状结构同时使块状结构的大小要大于形成至少一个接触孔所要求的尺寸；擦除栅覆盖块状结构的至少一边并将对应边的顶部尖角覆盖，在擦除栅的顶部和块状结构的顶部分别通过对应的接触孔连接到测试电极。本发明公开了一种分栅闪存的测试结构的制造方法。本发明能在存储区外形成能引出且具有和存储区浮栅相同顶部尖角的浮栅，从而形成能对顶部尖角的擦除性能进行测试。

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