首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

具有改进的表面钝化的晶体硅太阳能电池的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200780035481.8
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0216
申请日期：
2007-09-20
申请人：
ECN荷兰能源中心

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有改进的表面钝化的晶体硅太阳能电池的制造方法
申请号	CN200780035481.8	申请日期	2007-09-20
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-30	公开/公告号	CN101548395
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6查看分类表>
申请人	ECN荷兰能源中心	申请人地址	荷兰阿纳姆变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	荷兰应用自然科学研究组织TNO	当前权利人	荷兰应用自然科学研究组织TNO
发明人	Y·科马特苏;L·J·格林斯;V·D·米哈伊利奇;M·科佩斯
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	于辉

摘要

本发明提供一种制造晶体硅太阳能电池的方法，包括：提供具有正面和背面的晶体硅基板；通过将晶体硅基板浸入化学溶液，在正面和背面中的至少一面形成氧化硅薄膜；在正面和背面中的至少一面的氧化硅薄膜上形成介电涂膜。氧化硅薄膜可以具有0.5-10nm的厚度。通过使用化学溶液形成氧化物层，可以形成用于表面钝化的氧化物薄膜，其中，相对低的温度避免了半导体层的损坏。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供