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一种新型半导体发光二极管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010183993.2
  • IPC分类号:H01L33/38
  • 申请日期:
    2010-05-27
  • 申请人:
    常州美镓伟业光电科技有限公司;云峰
著录项信息
专利名称一种新型半导体发光二极管
申请号CN201010183993.2申请日期2010-05-27
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2010-10-20公开/公告号CN101867002A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/38IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;3;8查看分类表>
申请人常州美镓伟业光电科技有限公司;云峰申请人地址
江苏省常州市常武中路801号3号楼B座3层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人常州美镓伟业光电科技有限公司,云峰当前权利人常州美镓伟业光电科技有限公司,云峰
发明人廖翊韬;云峰
代理机构南京众联专利代理有限公司代理人顾进
摘要
本发明涉及一种半导体发光二极管,包括衬底、缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层,P型接触金属层,通过刻蚀穿透P型层、电子阻挡层、有源层等,将N型层材料直接暴露于P型材料一侧,并在暴露区域覆盖N型接触金属和电极,从而增强N型层中的横向电流扩散,同时P型金属覆盖整个P型半导体层,LED从衬底表面出光。通过上述改进:可大幅度缩短了电流在LED器件中的横向扩散距离,避免了电流拥塞引起的LED器件电流密度分布不均,使LED器件出光更加均匀,且根除了P型电极的遮光效应。

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