等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310705627.2
IPC分类号：H01L21/66;H01J37/244;H01J37/32
申请日期：
2013-12-19
申请人：
中微半导体设备（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法
申请号	CN201310705627.2	申请日期	2013-12-19
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-06-24	公开/公告号	CN104733336A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;J;3;7;/;2;4;4;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	杨平;万磊
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王宝筠

摘要

本发明提供了一种等离子体去胶工艺的终点检测方法和检测系统，检测方法，包括，产生预设光；所述预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺中被消耗的气体或粒子或者产生的气体或粒子；获取所述预设光在射入反应腔室之前的入射光强；获取经过反应腔室后从所述反应腔室射出的所述预设光的出射光强；比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则确定等离子体去胶工艺达到终点；其中，所述预设阈值是应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比较结果。

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