芯片上变压器电路、分布式有源变压器功率组合器电路和堆叠差分放大器电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201980042931.9
IPC分类号：H01F27/28;H03F3/26;H03F3/45;H03F3/60;H01F19/04
申请日期：
2019-10-01
申请人：
英特尔公司

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著录项信息

专利名称	芯片上变压器电路、分布式有源变压器功率组合器电路和堆叠差分放大器电路
申请号	CN201980042931.9	申请日期	2019-10-01
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-04	公开/公告号	CN112912977A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F27/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F27/00 变压器或电感器的一般零部件〔6〕 H01F27/28 线圈；绕组；导电连接	IPC分类号	H;0;1;F;2;7;/;2;8;;;H;0;3;F;3;/;2;6;;;H;0;3;F;3;/;4;5;;;H;0;3;F;3;/;6;0;;;H;0;1;F;1;9;/;0;4查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	考希克·达斯古普塔;于传钊;钦坦·塔卡;萨伊德·达内什加尔;尹铉;李玺;阿南达鲁普·查克拉巴蒂;斯特凡·绍波夫
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	杨佳婧

摘要

公开了一种芯片上变压器电路。该芯片上变压器电路包括：初级绕组电路，所述初级绕组电路包括至少一匝初级导电绕组，所述初级导电绕组被布置为在衬底的第一电介质层中的第一N边多边形；和次级绕组电路，所述次级绕组电路包括至少一匝次级导电绕组，所述次级导电绕组被布置为在所述衬底的不同的第二电介质层中的第二N边多边形。在一些实施例中，所述初级绕组电路和所述次级绕组电路被布置为沿着所述初级导电绕组和所述次级导电绕组在预定位置处彼此交叠，其中所述预定位置包括多个位置，所述多个位置少于沿着所述初级导电绕组和所述次级导电绕组的所有位置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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