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用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510185931.8
IPC分类号：H01L23/29;H01L23/31;H01L21/02
申请日期：
2015-04-17
申请人：
上海申和热磁电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法
申请号	CN201510185931.8	申请日期	2015-04-17
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-23	公开/公告号	CN106158769A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/29 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/29 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	上海申和热磁电子有限公司	申请人地址	上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海申和热磁电子有限公司	当前权利人	上海申和热磁电子有限公司
发明人	千津井勝己;贺贤汉;洪漪
代理机构	上海顺华专利代理有限责任公司	代理人	陈淑章

摘要

本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区。本发明用于硅片的无去边LTO背封层结构。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与抛光面几乎没有差异。这样在外延时硅片的正面斜边上就没有了颗粒污染源，边缘层错、角锥问题也得以解决，进而提升制程良率。

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