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一种生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米片阵列材料的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910159435.3
  • IPC分类号:C01G53/04;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2019-03-04
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米片阵列材料的制备方法
申请号CN201910159435.3申请日期2019-03-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-07-23公开/公告号CN110040792A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G53/04IPC分类号C;0;1;G;5;3;/;0;4;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人邓意达;胡庆丰;李文博;胡文彬;钟澄;张金凤;韩晓鹏
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人李素兰
摘要
本发明涉及一种生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米片阵列材料的制备方法;将泡沫镍置于酒精中超声波清洗,取出泡沫镍后用去离子水冲洗泡沫镍,再将冲洗后的泡沫镍置于酸溶液中浸泡1‑2h,取出后置于去离子水中超声波清洗;将表面活化处理得到的泡沫镍浸没在去离子水中自然氧化2~5天,反应温度为室温条件,得到竖直生长于泡沫镍表面的氢氧化镍纳米片阵列材料;本发明的制备方法无须高温、高压反应条件,无须高纯度镍盐作为反应原料,制备过程产生的污染物较少,更符合绿色化学合成理念,且成本低廉。

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