控制钉扎层畴结构在巨/隧穿磁电阻结构实现多态存储的方法及多态存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110528052.6
IPC分类号：G11C11/15;H01L43/08
申请日期：
2021-05-14
申请人：
致真存储（北京）科技有限公司

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著录项信息

专利名称	控制钉扎层畴结构在巨/隧穿磁电阻结构实现多态存储的方法及多态存储器
申请号	CN202110528052.6	申请日期	2021-05-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-27	公开/公告号	CN113314166A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8查看分类表>
申请人	致真存储（北京）科技有限公司	申请人地址	北京市海淀区知春路23号5层504A、504B室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	致真存储（北京）科技有限公司	当前权利人	致真存储（北京）科技有限公司
发明人	卢世阳;陈伟斌;刘宏喜;曹凯华;王戈飞
代理机构	北京墨丘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	代峰;谷轶楠

摘要

本申请公开了一种控制钉扎层畴结构在巨/隧穿磁电阻结构实现多态存储的方法以及一种多态存储器。其中，该方法包括：在所述自旋产生层中通入电流产生自旋流，从而产生自旋轨道力矩效应；基于所述产生的自旋轨道力矩效应改变所述反铁磁钉扎层中反铁磁磁序的数量、大小和方向中的至少一种，从而影响所述铁磁被钉扎层中磁畴的数量、大小和方向中的至少一种；控制所述电流的大小，从而使得所述反铁磁磁序产生多次不同程度的偏转；基于磁电阻效应读出所述偏转，进而实现一个物理存储单元直接存储多个阻态。

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