一种体声波谐振器的底电极结构及工艺方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010042966.7
IPC分类号：H03H9/02;H03H9/17;H03H3/02
申请日期：
2020-01-15
申请人：
杭州见闻录科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种体声波谐振器的底电极结构及工艺方法
申请号	CN202010042966.7	申请日期	2020-01-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-26	公开/公告号	CN111200414A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/02 零部件〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;1;7;;;H;0;3;H;3;/;0;2查看分类表>
申请人	杭州见闻录科技有限公司	申请人地址	浙江省湖州市康山街道红丰路1366号3幢1219-23 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	见闻录（浙江）半导体有限公司	当前权利人	见闻录（浙江）半导体有限公司
发明人	李林萍;盛荆浩;江舟
代理机构	厦门福贝知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陈远洋

摘要

本发明公开了一种体声波谐振器的底电极结构及工艺方法，通过在衬底上制作出空腔，并在空腔上方制作底电极层，在底电极层周围施加绝缘材料层以使得绝缘材料层的表面与底电极层的表面保持平坦，提高压电层的应力一致性，在绝缘材料层和底电极层的表面上制作压电层以使得压电层不接触衬底，减小压电层的应力影响，使器件的机电耦合系数控制在最佳范围，提高谐振器品质因素、器件良率和器件成品的一致性和可靠性，并且使器件的有效谐振面积更大更接近空腔但不超出空腔，可以减小器件尺寸约5％。

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