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一种离子源坩埚控制方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010513581.0
  • IPC分类号:H01J37/302
  • 申请日期:
    2010-10-13
  • 申请人:
    北京中科信电子装备有限公司
著录项信息
专利名称一种离子源坩埚控制方法
申请号CN201010513581.0申请日期2010-10-13
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-05-09公开/公告号CN102446685A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/302IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;3;0;2查看分类表>
申请人北京中科信电子装备有限公司申请人地址
北京市中关村科技园通州园光机电一体化产业基地兴光二街六号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京中科信电子装备有限公司当前权利人北京中科信电子装备有限公司
发明人伍三忠;孙勇;周文龙
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明阐述了一种离子源坩埚控制方法,控制离子注入机离子源中的坩埚除气和蒸发过程,以稳定产生所需气体。本方法涉及离子注入机,属于半导体制造领域。本方法包含了两个大的步骤,即图中的除气部分(1)和闭环稳气部分(2)。除气部分(1)是通过预热和不断加热坩埚,将坩埚中的杂质气体和所要加热的固体中含有的水分除掉。闭环稳气部分(2)是将坩埚温度的控制与离子源真空值进行闭环控制,并以PID控制算法实现对于二者间的关联控制。离子源真空值可通过人机交互界面设定,由本方法自动调节坩埚温度,使得离子源真空值保持稳定,即获得目标气体浓度。

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