薄膜沉积反应器

1.一种薄膜沉积反应器，该反应器包括：一第一气体阀门，用以控制第一气体的流量；一第二气体阀门，用以控制第二气体的流量；一控制单元，用以控制该第一气体阀门以及该第二气体阀门的动作；以及一反应室，与该第一气体阀门、该第二气体阀门连接，以供容纳该第一气体或该第二气体并进行沉积工艺；其中，该第一气体阀门与该第二气体阀门不得同时开启，以使该第一气体或该第二气体可于同一反应室中进行沉积工艺。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，其中该反应器为一等离子增强化学气相沉积反应器。
3.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，其中该第一气体阀门以及该第二气体阀门为一常闭式阀门。
4.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，其中该第一气体为氢基气体。
5.如权利要求4所述的反应器，其中该氢基气体包括硅甲烷。
6.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，其中该第二气体为氧基气体。
7.如权利要求6所述的反应器，其中该氧基气体选自氧或臭氧。
8.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，其中该控制单元包括一逻辑电路。
9.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，其中该反应室包括至少一流量控制器，用来接受一预先设定的控制工艺程序的指令以控制该第一气体以及该第二气体的流量。
10.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，其中该第一气体阀门与该第二气体阀门的动作存在一时间间隔。
11.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，其中该第一气体阀门以及该第二气体阀门之后所有管线与该反应室内的残余气体借助于一净化步骤加以清除。
12.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，该反应器还包括一远程等离子清洗系统设置于该第一气体阀门、该第二气体阀门以及该反应室之间，用以清除连接该反应室的所有管线以及该反应室内的残余气体与副产物。
13.如权利要求1所述的薄膜沉积反应器，该反应器还包括一第三气体阀门用以导入第三气体至该反应室中，其中该第三气体包括原硅酸四乙酯。

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