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钙钛矿晶体硅两端叠层太阳电池结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110192855.9
IPC分类号：H01L51/48;H01L51/44;H01L51/42
申请日期：
2021-02-20
申请人：
天合光能股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	钙钛矿晶体硅两端叠层太阳电池结构及其制备方法
申请号	CN202110192855.9	申请日期	2021-02-20
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-04	公开/公告号	CN112909187A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕 H01L51/48 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2查看分类表>
申请人	天合光能股份有限公司	申请人地址	江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天合光能股份有限公司	当前权利人	天合光能股份有限公司
发明人	夏锐;刘宗涛;王尧;刘成法;邹杨;陈达明;陈奕峰
代理机构	浙江永鼎律师事务所	代理人	郭小丽

摘要

本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种钙钛矿晶体硅两端叠层太阳电池结构及其制备方法，它是先在硅片表面制备发射极，再在发射极上制备保护层，再局部去除保护层后在发射极上制备钙钛矿及相关功能层，得到发射极直接与复合层接触的太阳电池结构。本发明具有高效、低成本、制备简单的优点，提出的制备工艺具有可行性高，适用性广等优点。

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