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LED外延结构及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510366989.2
  • IPC分类号:H01L33/14;H01L33/00
  • 申请日期:
    2015-06-29
  • 申请人:
    聚灿光电科技股份有限公司
著录项信息
专利名称LED外延结构及其制备方法
申请号CN201510366989.2申请日期2015-06-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2015-09-09公开/公告号CN104900776A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/14IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人聚灿光电科技股份有限公司申请人地址
江苏省苏州市工业园区新庆路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人聚灿光电科技股份有限公司当前权利人聚灿光电科技股份有限公司
发明人冯猛;陈立人;刘恒山
代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)代理人杨林洁
摘要
本发明提供一种LED外延结构及其制备方法,LED外延结构从下向上依次包括衬底,N型GaN层,InGaN/GaN量子阱层,电子阻挡层,P型GaN层,接触层;P型GaN层和接触层之间还生长有空穴扩展层。空穴扩展层为非故意掺杂的AlxGa(1-x)N层,AlxGa(1-x)N层中x的取值范围为0.05~0.20,AlxGa(1-x)N层的厚度范围为10~40nm。本发明的AlxGa(1-x)N层具有较高能隙,从正极流出的空穴经过AlxGa(1-x)N层后会被均匀分散,然后空穴流到InGaN/GaN量子阱层中与电子复合而产生光子,可提高发光均匀性,且无需借助复杂的芯片工艺就可以解决LED芯片中电流拥堵的问题。

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