用于密封一衬底的方法及系统

发明专利无效专利

申请号：
CN200510103553.0
IPC分类号：G02F1/01;G02F1/21
申请日期：
2005-09-21
申请人：
IDC公司

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著录项信息

专利名称	用于密封一衬底的方法及系统
申请号	CN200510103553.0	申请日期	2005-09-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-04-05	公开/公告号	CN1755431
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/01 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;1;;;G;0;2;F;1;/;2;1查看分类表>
申请人	IDC公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	IDC公司	当前权利人	IDC公司
发明人	菲利浦·D·弗洛伊德
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王允方

摘要

本文描述一种将一微机电系统(MEMS)装置76与环境条件隔绝的方法，其中所述MEMS装置76形成于一衬底72上，且一基本上呈气密性的密封件78作为所述MEMS装置制造工艺的一部分形成。所述方法包括使用诸如光刻等方法在所述衬底上靠近所述MEMS装置76的一周边形成一金属密封件78。所述金属密封件78形成于所述衬底上，同时所述MEMS装置76在MEMS元件的导电部件之间保留一牺牲层，且所述牺牲层在形成所述密封件之后且在附装一背板74之前被移除。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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