配线电路板的制造方法

1.一种配线电路板的制造方法，其特征在于，
包括如下的工序：
准备包括绝缘层和形成在上述绝缘层上的导体图案的配线电路板；
将上述配线电路板配置在支承台上；以及
通过从上述配线电路板的上侧朝向上述配线电路板照射光，来检测照射光被上述导体图案反射而成的图案反射光、上述照射光经由未被上述导体图案覆盖的上述绝缘层被上述支承台反射而成的台反射光、上述照射光被未被上述导体图案覆盖的上述绝缘层上所存在的异物反射而成的异物反射光，根据上述图案反射光、台反射光和异物反射光之间的对比度来检查上述导体图案及上述异物；
在检查上述导体图案及上述异物的工序中，上述台反射光的反射率为30%～70%；
上述异物反射光的反射率为10%以下。
2.根据权利要求1所述的配线电路板的制造方法，其特征在于，
上述图案反射光的反射率比上述台反射光的反射率高出20%以上。
3.根据权利要求1所述的配线电路板的制造方法，其特征在于，
上述照射光的波长为500nm以上1500nm以下。

配线电路板的制造方法\n技术领域\n[0001] 本发明涉及一种配线电路板的制造方法，更具体地讲是涉及一种挠性配线电路板等配线电路板的制造方法。\n背景技术\n[0002] 挠性配线电路板等配线电路板具有基底绝缘层及形成在基底绝缘层上的导体图案。关于该配线电路板的制造，公知有在基底绝缘层上形成导体图案后，利用光学检查导体图案的形状好坏的工艺。\n[0003] 例如参照图5，提出了将具有基底绝缘层42及形成在该基底绝缘层42上的导体图案41的配线电路板40载置在金属制的支承台44的上表面上，之后，从上侧向配线电路板40照射光，利用被配线电路板40反射的反射光来检查导体图案41(例如参照日本特开\n2006-112845号公报)。\n[0004] 具体地讲，利用CCD摄像机来检测作为反射光的：光被导体图案41反射而成的图案反射光51、光经由未被导体图案41覆盖的基底绝缘层42而被支承台44反射而成的台反射光52。\n[0005] 然后，在日本特开2006-112845号公报中的导体图案41的检查过程中，利用图案反射光51与台反射光52的光量差、即它们之间的对比度(明暗差)来识别导体图案41的形状，判定导体图案41的形状好坏。\n[0006] 另外，在日本特开2006-112845号公报中，在图案反射光51与台反射光52之间的对比度较低的情况下，存在难以识别导体图案41的形状的问题，为了消除该问题，该文献中提出了通过将台反射光52的反射率降低到10％以下来确保图案反射光51与台反射光\n52之间有较高的对比度。\n[0007] 另一方面，以往，对于配线电路板的制造提出了检查导体图案上存在的异物(例如参照日本特开平11-307883号公报)的技术方案。\n[0008] 具体地讲，参照图5的实线，在异物46由橡胶等树脂材料构成的情况下，光被异物\n46反射而成的异物反射光53的反射率较低，因此，确保异物反射光53与图案反射光51之间较高对比度地检查导体图案41上存在的异物46。\n[0009] 但是，参照图5的假想线，在异物46存在于未被导体图案41覆盖的基底绝缘层42上时，异物反射光53及台反射光52的反射率均较低，因此，它们之间的对比度降低。因此，难以检查未被导体图案41覆盖的基底绝缘层42上存在的异物46。\n发明内容\n[0010] 本发明的目的在于提供一种能够容易且同时实施导体图案的检查、和未被导体图案覆盖的绝缘层上存在的异物的检查的配线电路板制造方法。\n[0011] 本发明的配线电路板制造方法的特征在于，包括以下工序：准备包括绝缘层和形成在上述绝缘层上的导体图案的配线电路板；将上述配线电路板配置在支承台上；通过从上述配线电路板的上侧朝向上述配线电路板照射光，来检测上述光被上述导体图案反射而成的图案反射光、上述光经由未被上述导体图案覆盖的上述绝缘层被上述支承台反射而成的台反射光、和上述光被未被上述导体图案覆盖的上述绝缘层上所存在的异物反射而成的异物反射光进行检测，根据上述图案反射光、台反射光和异物反射光之间的对比度来检查上述导体图案及上述异物；在检查上述导体图案及上述异物的工序中，上述台反射光的反射率为30％～70％，上述异物反射光的反射率为10％以下。\n[0012] 另外，在本发明的配线电路板制造方法中，优选上述图案反射光的反射率比上述台反射光的反射率高出20％以上。\n[0013] 另外，在本发明的配线电路板制造方法中，优选上述光的波长为500nm以上。\n[0014] 采用本发明的配线电路板制造方法，在检查导体图案及异物的工序中，台反射光的反射率为30％～70％，异物反射光的反射率为10％以下。\n[0015] 因此，能够将图案反射光与台反射光之间的对比度、及台反射光与异物反射光之间的对比度相互平衡地设定得均较高。\n[0016] 因此，能够容易且同时实施导体图案的检查、和未被导体图案覆盖的绝缘层上存在的异物的检查。\n附图说明\n[0017] 图1是利用本发明的配线电路板制造方法制造的配线电路板的一个实施方式的、沿着宽度方向的剖视图。\n[0018] 图2是本发明的配线电路板制造方法的一个实施方式的工序图，其中的(a)表示准备基底绝缘层的工序，(b)表示形成导体图案的工序，(c)表示在不存在异物、正常地形成配线的配线电路板中检查导体图案及异物的工序，(c’)表示在存在异物、配线短路的配线电路板中检查导体图案及异物的工序，(d)表示形成覆盖绝缘层的工序。\n[0019] 图3是用于实施图2的实施方式的输送装置的概略结构图。\n[0020] 图4是用于实施检查工序的检查装置的概略结构图。\n[0021] 图5是以往技术的说明图，表示检查在导体图案上存在异物的配线电路板的工序。\n[0022] 图6表示实施例1的检查工序的图像处理图。\n[0023] 图7表示实施例2的检查工序的图像处理图。\n[0024] 图8表示实施例3的检查工序的图像处理图。\n[0025] 图9表示比较例1的检查工序的图像处理图。\n[0026] 图10表示比较例2的检查工序的图像处理图。\n[0027] 图11表示比较例3的检查工序的图像处理图。\n[0028] 图12表示比较例4的检查工序的图像处理图。\n具体实施方式\n[0029] 图1是利用本发明的配线电路板制造方法制造的配线电路板的一个实施方式的沿着宽度方向(与长度方向正交的方向)的剖视图，图2是本发明的配线电路板制造方法的一个实施方式的工序图，图3是用于实施图2的实施方式的输送装置的概略结构图，图4是用于实施后述的检查工序的检查装置的概略结构图。\n[0030] 在图1中，该配线电路板1是形成为沿长度方向延伸的平带片状的挠性配线电路板，其包括作为绝缘层的基底绝缘层2、和形成在基底绝缘层2上的导体图案3。另外，配线电路板1可根据需要在基底绝缘层2上具有形成为包覆导体图案3状的覆盖绝缘层5。\n[0031] 作为形成基底绝缘层2的绝缘材料，可采用聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、丙烯酸类、聚醚腈、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚氯乙烯等合成树脂。从耐热性、对光的透射特性等方面考虑，优选采用聚酰亚胺。\n[0032] 另外，在上述绝缘材料中根据需要混合有颜料等。为了调整后述的检查工序中的台反射光8的反射率R2而以适当的比例混合颜料。\n[0033] 基底绝缘层2与沿长度方向延伸的配线电路板1的外形形状对应地形成为平带片状。\n[0034] 基底绝缘层2相对于波长为500nm以上的光(优选为500nm～1500nm的光，更优选为500nm～1000nm的光)的光透射率T例如为60％以上，优选为70％以上，更优选为\n80％以上，通常为100％以下。\n[0035] 另外，基底绝缘层2的厚度例如为5μm～50μm，优选为10μm～40μm。\n[0036] 作为形成导体图案3的导体材料，例如可采用铜、镍、金、焊锡、或者它们的合金等导体材料。从电阻、相对于光的反射特性的方面考虑，优选采用铜。\n[0037] 导体图案3一体包括沿着长度方向延伸、在宽度方向上互相空开间隔地并列设置的配线6、和配置在各配线6的长度方向两端部的未图示的端子部。另外，各配线6被覆盖绝缘层5包覆，而未图示的各端子部从覆盖绝缘层5露出。另外，导体图案3形成为截面(沿宽度方向的截面)大致呈矩形形状。\n[0038] 导体图案3的厚度例如为3μm～30μm，优选为5μm～20μm。另外，各配线6及各端子部的宽度(宽度方向上的长度)可以相同、也可以不同，例如为5μm～500μm，优选为15μm～200μm。各配线6之间的间隔(宽度方向上的间隔)及各端子部之间的间隔可以相同、也可以不同，例如为5μm～200μm，优选为5μm～100μm。\n[0039] 覆盖绝缘层5包覆配线6而将其电密封。作为形成覆盖绝缘层5的绝缘材料，可采用与形成上述基底绝缘层2的绝缘材料相同的绝缘材料。\n[0040] 覆盖绝缘层5以如下图案形成在基底绝缘层2的表面上：包覆配线6且将端子部露出。覆盖绝缘层5的厚度例如为10μm～50μm，优选为14μm～20μm。\n[0041] 接着，参照图2～图4说明本发明的配线电路板制造方法的一个实施方式。\n[0042] 如图3所示，在该方法中，利用例如采用输送装置13的辊对辊(roll to roll)法实施制造配线电路板1的各工序(图2中的(a)～(d))。输送装置13例如包括互相空开间隔地配置的放出辊16及卷取辊17。\n[0043] 在辊对辊(roll to roll)法中，例如在各工序中朝向卷取辊17放出以卷状卷绕于放出辊16上的纵长状的基底绝缘层2，以利用卷取辊17卷取的方式进行辊输送，在该辊输送的过程中依次实施图2所示的各工序。\n[0044] 首先，如图2(a)所示，在该方法中，将基底绝缘层2准备成卷绕于放出辊16上的片。\n[0045] 接下来，如图2(b)所示，在该方法中，利用具有配线6及端子部的配线电路图案，在基底绝缘层2上形成导体图案3。导体图案3利用例如金属面腐蚀法、添加法等公知的图案形成法而形成。\n[0046] 由此，准备配线电路板1(检查工序前的配线电路板1)，该配线电路板1包括基底绝缘层2和形成在该基底绝缘层2上的导体图案3。\n[0047] 之后，如图2(c)及(c’)所示，将配线电路板1配置在支承台4(见后述)上，接着，检查导体图案3和异物11(检查工序)。在检查工序中，可采用图4所示的检查装置12。\n[0048] 检查装置12配置在放出辊16与卷取辊17之间。检查装置12包括配置在被输送到放出辊16与卷取辊17之间的配线电路板1的厚度方向上侧的发光部14及受光部15、和与发光部14及受光部15相对地配置在厚度方向下侧的支承台4。\n[0049] 发光部14沿输送方向空开间隔地相对配置。各发光部14上的与配线电路板1相对的下表面成为用于发出光10的发光面，为了使从各发光面发出的光10在各发光部14之间的中间位置会聚于配线电路板1，各发光部14以配线电路板1的聚光部分(沿着配线电路板1的宽度方向的聚光线)为中心倾斜地轴对称地配置。\n[0050] 具体地讲，各发光部14例如是能够发出波长为500nm以上的光(优选为500nm～\n1500nm的光，更优选为500nm～1000nm的光)10的灯，作为光源优选采用能够照射包含上述波长在内的光的波长的近红外线LED(发光二极管)。\n[0051] 在光10的波长处于上述范围内时，在检查工序中能够确保基底绝缘层2的较高的光透射率，从而能够将台反射光8的反射率R2(见后述)设定在目标范围内。因此，能够更加平衡地设定图案反射光7与台反射光8之间的对比度(见后述)、及台反射光8与异物反射光9之间的对比度(见后述)。\n[0052] 受光部15配置在配线电路板1的上侧，该受光部15在配线电路板1的厚度方向上与配线电路板1空开间隔，在输送方向上该受光部15配置在各发光部14之间。另外，受光部15的下表面成为用于接受由光10被配线电路板1及支承台4反射而成的反射光(见后述)7、8及9的受光面，该受光面在发光部14的上方与聚光部分相对地配置在该聚光部分的上侧。\n[0053] 具体地讲，受光部15例如由近红外线摄像机、CCD摄像机等构成，从通用性的方面考虑，优选由CCD摄像机构成，具体地讲由能够读取与配线电路板1的输送方向正交的线型(聚光线)的CCD线扫描摄像机构成。\n[0054] 支承台4呈大致平板形状，其上表面(表面)形成为平滑面。另外，作为形成支承台4的材料，为了将后述的台反射光8的反射率R2设定在目标范围内，例如可采用不锈钢(具体地讲是日本钢铁标准下的SUS304等)、铝等金属材料、例如聚四氟乙烯等氟类树脂材料等。另外，在支承台4的上表面上根据需要形成有金属膜。\n[0055] 作为形成金属膜的材料，例如可采用与形成上述支承台4的金属材料相同的金属材料。形成金属膜的材料与形成支承台4的金属材料通常以不同种类的材料组合。金属膜的厚度例如为0.1～100μm。\n[0056] 支承台4配置在被输送的配线电路板1的下侧。支承台4的上表面与配线电路板\n1的下表面滑动自由地接触，由此，支承配线电路板1。另外，虽未图示，但在支承台4中形成有沿厚度方向贯穿的通孔，在该通孔的下端连接有压缩机。\n[0057] 另外，在该检查装置12中，自发光部14照射出的照射光10与由受光部15接受的反射光所成的角度θ例如被设定为0～90度，优选为0～45度。另外，发光部14的发光面与配线电路板1的聚光部分之间的距离例如被设定为5mm～300mm，优选被设定为\n10mm～100mm。另外，配线电路板1的聚光部分与受光部15的受光面之间的距离例如被设定为20mm～300mm。\n[0058] 然后，通过以基底绝缘层2的下表面与支承台4的上表面接触的方式朝向卷取辊\n17放出卷绕于放出辊16上的配线电路板1，将配线电路板1配置在支承台4上。\n[0059] 之后，中断放出辊16的放出及卷取辊17的卷取，接着，使压缩机工作而经由通孔抽吸空气，从而将配线电路板1固定(吸附)在支承台4上。\n[0060] 之后，利用检查装置12同时检查配线电路板1上的导体图案3和异物11。\n[0061] 在该检查工序中，从配线电路板1的上侧向配线电路板1照射上述波长的光(照射光)10。具体地讲，从发光部14朝向配线电路板1照射上述波长的光10。\n[0062] 参照图2(c)及图2(c’)，通过照射上述光10，利用受光部15检查上述照射光10被导体图案3的表面反射而成的图案反射光7、上述照射光10经由未被导体图案3覆盖的基底绝缘层2(导体图案3之间的基底绝缘层2)而被支承台4反射而成的台反射光8、和上述照射光10被异物11反射而成的异物反射光9(见后述)。\n[0063] 图案反射光7的反射率R1例如为70％以上，优选为80％以上，更优选为90％以上，通常为100％以下。\n[0064] 当以自发光部14照射的照射光10的光量作为100％时，由作为受光部15检测的图案反射光7的光量的所占百分比(＝{(图案反射光7的光量)/(照射光10的光量)}×100％)，求得图案反射光7的反射率R1。\n[0065] 另外，作为台反射光8的主要成分，包含照射光10在从基底绝缘层2的上表面入射而朝下通过基底绝缘层2内、接着被支承台4的上表面反射之后、朝上再次通过基底绝缘层2内、接着从基底绝缘层2的上表面出射而形成的光。另外，作为台反射光8的其他成分，包含照射光10在基底绝缘层2的上表面反射而成的光(未图示)。\n[0066] 这样的台反射光8的反射率R2为30％～70％，优选为30％～60％，更优选为\n30％～50％。\n[0067] 当以自发光部14照射的照射光10的光量作为100％时，由作为受光部15检测的台反射光8的光量的所占百分比(＝{(台反射光8的光量)/(照射光10的光量)}×100％)，求得台反射光8的反射率R2。\n[0068] 异物反射光9的反射率R3由形成后述的异物11的材料来决定，例如为10％以下，优选为5％以下，更优选为1％以下，通常为0.2％以上。\n[0069] 当以自发光部14照射的照射光10的光量作为100％时，由作为受光部15检测的异物反射光9的光量的所占百分比(＝{(异物反射光9的光量)/(照射光10的光量)}×100％)，求得异物反射光9的反射率R3。\n[0070] 如图2(c’)所示，异物11存在于被判定为不良品的配线电路板1上的未被导体图案3覆盖的基底绝缘层2上。具体地讲，异物11存在于导体图案3(沿宽度方向相邻的各配线6)之间、导体图案3(宽度方向最外侧的配线6)的宽度方向外侧。\n[0071] 异物11的形状并没有特别的限定，而且，形成异物11的材料只要是满足上述反射率R3的材料就没有特别的限定，例如可列举碳黑、碳纳米管、碳纤维、石墨(碳精)等碳类无机材料(除金属材料之外的导电性无机材料)、例如橡胶、粘接剂等有机材料(树脂材料)等。\n[0072] 特别是，在含有由损害导体图案3性能(电信号传递性能)的材料形成的异物11的情况下，配线电路板1可靠地被判定为不良品，需要除去或者标注(标注表示是不良品的记号)该配线电路板1。因此，作为形成应被检测出的异物11的材料，特别可列举导电性无机材料(除金属材料之外)。\n[0073] 然后，根据检测到的反射光7、8及9的光量之间的对比度(光量之差)，同时检查导体图案3及异物11。\n[0074] 即，利用与受光部15连接的CPU(未图示)等对由受光部15检测到的反射光7、8及9的光量进行数据处理，形成图像处理图(俯视配线电路板1时的图像处理图。参照图\n6～图8)，在形成的图像处理图中显现导体图案3、基底绝缘层2及异物11，从而检查导体图案3及异物11。\n[0075] 详细地讲，参照图2(c)、图2(c’)、图6～图8，导体图案3通过图案反射光7及台反射光8之间的对比度来检查。\n[0076] 在导体图案3的检查过程中，根据图案反射光7与台反射光8之间的对比度获取导体图案3的图案数据，利用CPU形成图像处理图，由该图像处理图正确地识别导体图案3的图案形状，正确地判定配线6或端子部的缺陷、配线6之间或端子部之间的短路等。\n[0077] 图案反射光7与台反射光8之间的对比度为它们的反射率之差D1，具体地讲是由图案反射光7的反射率R1减去台反射光8的反射率R2获得的值D1(＝R1-R2)，为例如\n20％以上，优选为30％以上，通常为70％以下。换言之，图案反射光7的反射率R1相对于台反射光8的反射率R2高出例如20％以上，优选为30％以上。\n[0078] 在图案反射光7与台反射光8之间的对比度处于上述范围内时，能够更加正确地判定导体图案3的形状好坏。\n[0079] 然后，如图2(c’)所示，在上述导体图案3的检查过程中，当由图案反射光7与台反射光8之间的对比度获得的图案数据不是导体图案3的图案数据中所存在的图案数据，则判定为导体图案3的形状不良(配线6短路)。另一方面，如图2(c)所示，在由图案反射光7与台反射光8之间的对比度获得的图案数据与原本的导体图案3的图案数据不存在差异的情况下，判定为导体图案3的形状正常。\n[0080] 参照图2(c’)及图6～图8，异物11根据台反射光8与异物反射光9之间的对比度来检查。\n[0081] 在异物11的检查过程中，根据台反射光8与异物反射光9之间的对比度获取未被导体图案3覆盖的基底绝缘层2的图案数据，利用CPU形成图像处理图，由该图像处理图正确地识别未被导体图案3覆盖的基底绝缘层2的图案形状，正确地判定是否存在异物11。\n[0082] 台反射光8与异物反射光9之间的对比度为它们的反射率之差D2、具体地讲是由台反射光8的反射率R2减去异物反射光9的反射率R3获得的值D2(＝R2-R3)，为例如\n20％以上，优选为30％以上，通常为70％以下。换言之，台反射光8的反射率R2比异物反射光9的反射率R3高出例如20％以上，优选为30％以上。\n[0083] 然后，如图2(c’)所示，在上述异物11的检查过程中，当由台反射光8与异物反射光9之间的对比度获得的图案数据不是未被导体图案3覆盖的基底绝缘层2的图案数据中所存在的图案数据时，则判定为在未被导体图案3覆盖的基底绝缘层2上存在异物11。另一方面，如图2(c)所示，在由台反射光8与异物反射光9之间的对比度获得的图案数据与原本的未被导体图案3覆盖的基底绝缘层2的图案数据不存在差异的情况下，判定为在未被导体图案3覆盖的基底绝缘层2上不存在异物11。\n[0084] 另外，使用上述波长的光10进行的检查通常在常温(25℃)下实施，检查后的配线电路板1的表面(基底绝缘层2及导体图案3的表面)的温度例如为常温或30℃以下，优选为25℃以下。即，导体图案3及异物11在检查前后的温度上升范围例如为5℃以内。\n[0085] 之后，在该方法中，解除压缩机的抽吸而解除配线电路板1向支承台4上的固定，之后，再次开始由输送装置13输送配线电路板1。由此，利用卷取辊17卷取经过检查工序后的配线电路板1，并且，按顺序从放出辊16新放出检查工序前的配线电路板1而将其配置并固定在支承台4上。之后，实施与上述同样的检查工序。在检查装置12中重复这样的检查工序。\n[0086] 之后，如图2(d)所示，在该方法中，在基底绝缘层2上包覆导体图案3地由上述图案形成覆盖绝缘层5。\n[0087] 为了形成覆盖绝缘层5，例如利用涂敷树脂溶液或者粘贴树脂薄片等公知的方法来形成。\n[0088] 在涂敷树脂溶液的过程中，例如，首先调制含有上述合成树脂的溶液和感光剂的感光性的树脂溶液(清漆)。将感光性的清漆涂敷在包括导体图案3的基底绝缘层2的整个上表面上，之后使清漆干燥，形成覆盖皮膜。接着，通过光掩膜使覆盖皮膜曝光之后显影，将清漆加工为图案，并根据需要将覆盖皮膜加热而使其硬化。\n[0089] 在粘贴树脂薄片的过程中，借助公知的粘接剂将预先形成为上述图案的绝缘材料(根据需要含有颜料)的薄片层叠在基底绝缘层2及导体图案3上。\n[0090] 之后，将被卷取辊17卷取、并被判定为不良品的配线电路板1自纵长状的基底绝缘层2上切掉、除去，或者对该被判定为不良品的配线电路板1进行标记，而制造被判定为良品的配线电路板1。\n[0091] 于是，采用该方法，在导体图案3及异物11的检查工序中，台反射光8的反射率R2为30～70％，异物反射光9的反射率R3为10％以下。\n[0092] 因此，能够将图案反射光7与台反射光8之间的对比度、及台反射光8与异物反射光9之间的对比度平衡地设定得均较高。\n[0093] 结果，能够容易地同时实施导体图案3的检查和在未被导体图案3覆盖的基底绝缘层2上存在的异物11的检查。\n[0094] 另外，在上述说明中，作为本发明的配线电路板制造方法，例示了辊对辊(roll to roll)法，但并不限定于此，例如虽未图示，但能够采用单片法等。\n[0095] 另外，在上述说明中，作为利用本发明的配线电路板制造方法获得的配线电路板，例示了基底绝缘层2未支承于金属支承层等上的挠性配线电路板，但例如虽未图示，本发明也能够广泛地应用于制造基底绝缘层2的周端部下表面被金属支承层所支承的、设置金属支承层作为加强层的挠性配线电路板、和/或COF基板(包括TAB带式载体等)、带有电路的悬挂基板等各种配线电路板。\n[0096] 实施例\n[0097] 以下表示实施例及比较例，更具体地说明本发明，实施例及比较例对本发明不构成任何限定。\n[0098] 实施例1\n[0099] 利用使用上述图3所示的输送装置进行的辊对辊(roll toroll)法按顺序实施以下工序，制造挠性配线电路板。\n[0100] 即，准备由宽度300mm、厚度25μm的聚酰亚胺构成的纵长片状的基底绝缘层(参照图2(a))。\n[0101] 接着，利用添加法，以具有配线及端子部的配线电路图案在该基底绝缘层上形成由厚度8μm的铜构成的导体图案(参照图2(b))。各配线的宽度为30μm，各端子部的宽度为30μm，各配线之间的间隔为60μm，各端子部之间的宽度为60μm。\n[0102] 接着，使平均粒径为20μm的碳黑(异物)混入在未被配线覆盖的基底绝缘层上。\n[0103] 接着，如上述图4所示，使用具有发光部(光源：近红外线LED扩散照明)、受光部(CCD线扫描摄像机，型号P3-80-12K40，DALSA公司制)和支承台(不锈钢(日本钢铁标准下的SUS304)制)的检查装置同时检查碳黑及导体图案(参照图2(c)及(c’))。\n[0104] 在检查装置中，自发光部照射的光与由受光部接受的光所成的角度为10度，发光部的发光面与挠性配线电路板的聚光部分之间的距离为50mm，受光部的受光面与挠性配线电路板的聚光部分之间的距离为120mm。\n[0105] 在该检查过程中，使用波长850nm的光，以温度25℃实施。\n[0106] 通过数据处理获得的图像处理图表示于图6中，检查的评价表示于表1中。\n[0107] 之后，在含有导体图案及异物的基底绝缘层上涂敷由感光性聚酰胺酸构成的清漆，在烘干清漆后使清漆曝光，接着，将清漆显影而加工为上述图案，对该图案加热而使其硬化，从而形成由聚酰亚胺构成的厚度18μm的覆盖绝缘层(参照图2(d))。\n[0108] 实施例2\n[0109] 除了在检查工序中采用在表面形成有厚度0.5μm的锡膜的支承台(不锈钢制)之外，与实施例1同样地实施检查工序。\n[0110] 通过数据处理获得的图像处理图表示于图7中，检查的评价表示于表1中。\n[0111] 实施例3\n[0112] 除了在检查工序中采用在表面形成有厚度2μm的镍膜的支承台(不锈钢制)之外，与实施例1同样地实施检查工序。\n[0113] 通过数据处理获得的图像处理图表示于图8中，检查的评价表示于表1中。\n[0114] 比较例1\n[0115] 除了在检查工序中采用在表面形成有厚度8μm的铜膜的支承台(不锈钢制)之外，与实施例1同样地实施检查工序。\n[0116] 通过数据处理获得的图像处理图表示于图9中，检查的评价表示于表1中。\n[0117] 比较例2\n[0118] 除了在检查工序中采用在表面粘贴有厚度500μm的、由黑色的氯乙烯树脂构成的带的支承台(不锈钢制)之外，与实施例1同样地实施检查工序。通过数据处理获得的图像处理图表示于图10中。\n[0119] 通过数据处理获得的图像处理图表示于图10中，检查的评价表示于表1中。\n[0120] 比较例3\n[0121] 除了在形成导体图案的工序中在导体图案的表面还形成厚度0.5μm的锡镀层、在检查工序中采用在表面形成有厚度8μm的铜膜的支承台(不锈钢制)之外，与实施例1同样地制造配线电路板，接着实施检查工序。\n[0122] 通过数据处理获得的图像处理图表示于图11中，检查的评价表示于表1中。\n[0123] 比较例4\n[0124] 除了在形成导体图案的工序中在导体图案的表面还形成厚度0.5μm的锡镀层、而且在检查工序中采用在表面粘贴有厚度500μm的、由黑色的氯乙烯树脂构成的带的支承台(不锈钢制)之外，与实施例1同样地实施检查工序。\n[0125] 通过数据处理获得的图像处理图表示于图12中，检查的评价表示于表1中。\n[0126] 在表1的异物的检查一栏中，“○”表示能够明确判定具有异物，“×”表示无法判定异物是否存在，在导体图案的检查一栏中，“○”表示能够明确判定导体图案的形状正常，“×”表示无法判定导体图案的形状好坏。\n[0127] 另外，上述说明作为本发明的例示实施方式来提供，但这仅仅是例示，并不应解释为限定。该技术领域的本领域技术人员所明了的本发明的变形例也包含在权利要求书中。\n[0128]