用于测量硅片的膜厚度的测量装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201110062594.5
IPC分类号：G01B7/06
申请日期：
2011-03-15
申请人：
清华大学

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著录项信息

专利名称	用于测量硅片的膜厚度的测量装置
申请号	CN201110062594.5	申请日期	2011-03-15
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-14	公开/公告号	CN102183198A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B7/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B7/00 以采用电或磁的方法为特征的计量设备 G01B7/02 用于计量长度、宽度或厚度（G01B 7/004，G01B 7/12优先）〔6〕 G01B7/06 用于计量厚度	IPC分类号	G;0;1;B;7;/;0;6查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	天津市津南区海河科技园区聚兴道9号,8号楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华海清科股份有限公司	当前权利人	华海清科股份有限公司
发明人	路新春;沈攀
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	宋合成

摘要

本发明公开了一种用于测量硅片的膜厚度的测量装置，包括位置速度传感器，位置速度传感器沿纵向线性排列成第一和第二位置速度传感器阵列，第一和第二位置速度传感器阵列在横向上彼此间隔开，第一位置速度传感器阵列中的位置速度传感器在横向上分别与第二位置速度传感器阵列中的位置速度传感器一一对应；电涡流传感器，电涡流传感器位于第一位置速度传感器阵列与第二位置速度传感器阵列之间的垂直于横向的对称平面内；和控制器，控制器分别与位置速度传感器和电涡流传感器相连用于根据位置速度传感器和电涡流传感器的检测信号控制膜厚的测量。根据本发明实施例的测量装置可以实现硅片全局膜厚度的精确测量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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