一种应力氧化环境下陶瓷基复合材料内部氧化形貌预测方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010041210.0
IPC分类号：G16C10/00;G16C60/00
申请日期：
2020-01-15
申请人：
南京航空航天大学

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著录项信息

专利名称	一种应力氧化环境下陶瓷基复合材料内部氧化形貌预测方法
申请号	CN202010041210.0	申请日期	2020-01-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-05	公开/公告号	CN111243681A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G16C10/00	IPC分类号	G;1;6;C;1;0;/;0;0;;;G;1;6;C;6;0;/;0;0查看分类表>
申请人	南京航空航天大学	申请人地址	江苏省南京市秦淮区御道街29号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京航空航天大学	当前权利人	南京航空航天大学
发明人	宋迎东;陈西辉;丁俊杰;牛序铭;孙志刚;靳彧
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	孟捷

摘要

本发明公开了一种应力氧化环境下单向SiC/SiC复合材料内部氧化形貌预测方法，基于传质学理论，考虑了裂纹处初始阶段C界面的氧化缺口形貌变化，在氧化缺口到达SiC纤维处后，使用体积等效法将弧形的氧化缺口等效为矩形缺口，并在建立的控制体方程中加入了SiC纤维氧化消耗的氧气，使得模型更加接近实际情况，能准确地预测出陶瓷基复合材料在应力氧化任意时间后内部裂纹壁的氧化、氧气开始氧化纤维的时间、进入到裂纹底部后对纤维、界面和基体的氧化形貌，为之后计算应力氧化环境下陶瓷基复合材料的剩余力学性能问题提供了理论支持。

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