一种高孔隙率高强度低导热率多孔SiC陶瓷及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110382469.6
IPC分类号：C04B35/80;C04B35/565;C04B38/06
申请日期：
2021-04-09
申请人：
西安理工大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高孔隙率高强度低导热率多孔SiC陶瓷及其制备方法
申请号	CN202110382469.6	申请日期	2021-04-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-30	公开/公告号	CN113185312A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/80 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/71 含有宏观增强剂的陶瓷制品（C04B 35/66优先）〔3，4〕 C04B35/78 含非金属材料的〔2〕 C04B35/80 纤维、单丝、晶须、薄片或其他类似材料〔2〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;8;0;;;C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;4;B;3;8;/;0;6查看分类表>
申请人	西安理工大学	申请人地址	陕西省西安市金花南路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安理工大学	当前权利人	西安理工大学
发明人	李福平;赵琳娜;赵康;党薇;汤玉斐;孟庆男;焦华
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司	代理人	杨洲

摘要

本发明公开了一种高孔隙率高强度低导热率多孔SiC陶瓷及其制备方法，该制备方法包括球磨碳纤维，预制碳纤维，配制先驱体浆料，然后经过加热搅拌、冷冻、真空冷冻干燥，热氧化固化，最后经过热解、脱碳处理得到高孔隙率高强度低导热率多孔SiC陶瓷。该制备方法通过引入中空多孔SiC纤维做为孔壁单元，在保证多孔功能性和不降低多孔SiC孔隙率的前提下，提高多孔材料的抗压强度，解决了目前多孔SiC陶瓷在高孔隙率下压缩性能较低的缺点，并在一定程度上降低其热导率，制备得到的多孔SiC陶瓷在航空航天隔热材料领域具有广泛的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供