一种三维纳米多孔金叉指电极及其制备方法与应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201910541713.1
IPC分类号：H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
申请日期：
2019-06-21
申请人：
清华大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种三维纳米多孔金叉指电极及其制备方法与应用
申请号	CN201910541713.1	申请日期	2019-06-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-22	公开/公告号	CN112117131A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G11/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G11/00 混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层（EDL）电容器；其制造方法或其零部件的制造方法〔2013.01〕 H01G11/22 电极〔2013.01〕 H01G11/24 以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园北京-82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	王晓红;夏璠;徐思行
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	王文君

摘要

本发明涉及电化学领域，具体公开了一种三维纳米多孔金叉指电极及其制备方法与应用。所述制备方法包括在Si/SiO2衬底表面贴附叉指结构镂空的金属掩模版；在所述Si/SiO2衬底上未被金属掩模版遮盖的部分形成粘附层；将叉指电极两端的正负电极引出端遮盖后，进行Au/Ag共溅射；将去除金属掩模版后的结构器件置于腐蚀液中以去除Ag成分，形成所述叉指电极。本发明提供的三维纳米多孔金叉指电极可实现片上集成、具有高电导率及比表面积，应用于超级电容器中可实现高频响应及高电容密度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供